イオンプレーティング膜の特徴

イオンプレーティング膜
超高真空用コンポーネントへのTiNコーティング

タイゴールドはイオンプレーティング処理を企業化した受託加工のパイオニアです。イオンプレーティング法の中でもHCD法・AIP法を主体とした硬質膜をイオンプレーティング成膜しております。イオンプレーティングは金型・自動車部品をはじめ真空装置部品・印刷機器部品・医療器や工業材料、産業用、電子機器から民生用電気製品・装飾品まで様々な分野に広く利用されています。イオンプレーティング処理とは、真空中で蒸発させた金属原子をイオン化し、被処理物に負の電位を印加することにより密着性良く複合皮膜を形成させるコーティング方法です。タイゴールドはイオンプレーティング法の中でも、HCD(ホローカソード放電)法及びAIP(アークイオンプレーティング)法による被膜を提供致します。

表1

    項目 HCD-TiN AIP-TiN TiCN 備考

    膜厚(μm)

    0.01~5 0.5~20 0.5~3  

    硬度(Hv)

    1,800 1,800 2,000 膜厚2μmの場合

    密着強度(N)

    >40 >60  

    摩擦係数

    <0.5 <0.6 <0.5  

    耐熱温度(℃)

    350℃ 350℃ 300℃  

    処理温度(℃)

    150~500℃ 50~500℃ 150~500℃  

    目的

    耐磨耗

    耐食

    離型

    真空放出ガス抑制

    装飾

    耐磨耗 耐磨耗・装飾  

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表2

    項目 TiAlN AlTiN DLC 備考

    膜厚(μm)

    1~3 1~3 0.5~2  

    硬度(Hv)

    2,200 1,200 3,000 膜厚2μmの場合

    密着強度(N)

     

    摩擦係数

    <0.5 <0.2 <0.2  

    耐熱温度(℃)

    600℃ 800℃ 300℃  

    処理温度(℃)

    250~500℃ 250~500℃ RT~200℃  

    目的

    耐磨耗

    耐熱

     

    輻射防止・耐磨耗・耐熱 低摩擦・離型・装飾  

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表3

    項目 HCD-CrN AIP-CrN MoS2/TiN 備考

    膜厚(μm)

    0.5~5 0.5~5 0.5~3  

    硬度(Hv)

    1,200 1,600 50 膜厚2μmの場合

    密着強度(N)

    >30 >40  

    摩擦係数

    <0.3 <0.5 <0.1  

    耐熱温度(℃)

    500℃ 500℃ 300℃  

    処理温度(℃)

    50~500℃ 250~500℃ RT  

    目的

    耐磨耗

    耐食

    離型

    装飾

    耐磨耗 耐磨耗・耐高荷重  

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上記HCD(ホローカソード)法やAIP(アークイオンプレーティング)法によるコーティングサービスの他、スパッタリングによるコーティングサービスも行っております。

スパッタリングは材料ターゲットを準備・交換すれば、低融点金属・高融点金属・合金膜の成膜にも対応可能となります。

ターゲットの種類も豊富に持ち合わせており試作の対応も行っておりますので、コーティングをお考えの際は是非一度ご相談、お問い合わせください。